溅射多晶 Bi$_x$Se$_{1-x}$ 中通过自旋泵浦实现自旋-电荷转换
材料科学
2024-11-01 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
拓扑材料因有望基于高效的自旋轨道转矩翻转或自旋轨道磁态读出获得低功耗、快速存储器件而备受关注。特别是，溅射多晶 BiSe 是较具潜力的此类材料之一，因其制备相对容易且据报道具有非常高的自旋霍尔角。我们利用邻近坡莫合金薄膜中铁磁共振产生的自旋泵浦技术，研究 BiSe 中的自旋-电荷转换，并特别关注该体系的界面性质。我们的结果表明，BiSe 的自旋霍尔角符号与 Pt 相反；而由自旋-电荷转换产生的电荷电流却比 Pt 低一个数量级以上。我们将此归因于 BiSe 与坡莫合金的互扩散以及该效应引起的化学成分变化，这是体系的本征特征，且在许多其他研究中未被考虑。
引用
@article{arxiv.2212.12697,
title = {Spin-to-charge conversion by spin pumping in sputtered polycrystalline Bi$_x$Se$_{1-x}$},
author = {Isabel C Arango and Alberto Anadón and Silvestre Novoa and Van Tuong Pham and Won Young Choi and Junior Alegre and Laurent Badie and Andrey Chuvilin and Sébastien Petit-Watelot and Luis E Hueso and Fèlix Casanova and Juan-Carlos Rojas-Sánchez},
journal= {arXiv preprint arXiv:2212.12697},
year = {2024}
}