溅射 Bi$_x$Se$_{1-x}$ 中的全电学自旋-电荷转换
介观与纳米尺度物理
2022-10-19 v1
摘要
实现如 MESO 逻辑器件等自旋电子器件的主要障碍之一是用于磁化读出的信号幅度较小，因此寻找具有高自旋-电荷转换效率的材料十分重要。尽管两种材料界面处的混合（intermixing）是一种广泛存在的现象，但其对材料表征和自旋-电荷转换效率估计的影响很容易被忽视或低估。在此，我们展示了 BiSe 纳米器件中的全电学自旋-电荷转换，并表明根据用作接触层的相邻金属不同，转换效率可能被高估数十倍。我们将其归因于混合诱导的成分变化以及多晶的性质，这导致电阻率和自旋霍尔角发生剧烈变化。文中讨论了在类似功能器件结构中改善自旋-电荷转换信号的策略。
引用
@article{arxiv.2210.09792,
title = {All-electrical spin-to-charge conversion in sputtered Bi$_x$Se$_{1-x}$},
author = {Won Young Choi and Isabel C. Arango and Van Tuong Pham and Diogo C. Vaz and Haozhe Yang and Inge Groen and Chia-Ching Lin and Emily S. Kabir and Kaan Oguz and Punyashloka Debashis and John J. Plombon and Hai Li and Dmitri E. Nikonov and Andrey Chuvilin and Luis E. Hueso and Ian A. Young and Fèlix Casanova},
journal= {arXiv preprint arXiv:2210.09792},
year = {2022}
}
备注
Main text (18 pages, 3 figures, 2 tables) and supporting information (18 pages)