过掺杂铜氧化物中的超流密度：薄膜与块体样品的比较
超导电性
2022-07-13 v1 强关联电子
摘要
Božović 等人近期对过掺杂 LaSrCuO 铜氧化物超导体薄膜的研究揭示了若干出乎意料的发现，最显著的是违背了被认为能充分描述过掺杂铜氧化物的 BCS 描述。特别地，研究发现 LaSrCuO 薄膜中的超流密度在过掺杂侧随临界温度 T 线性下降，这被视为 Homes 定律被违背的证据。我们明确表明该定律确实被违背，并发现违背的主要原因在于 Božović 薄膜中的超流密度比块体样品受到更强的抑制。基于已有文献数据，我们表明块体铜氧化物样品中的超流密度并不随掺杂下降，而是在过掺杂侧趋于饱和。该结果也得到我们近期对重过掺杂块体 LaSrCuO 样品测量的支持。此外，这种超流密度的饱和可能不限于铜氧化物，因为我们在两个磷化物超导体家族中发现了类似行为的证据。我们认为量子相位涨落在薄膜中超流密度的抑制中起重要作用。
引用
@article{arxiv.2206.13987,
title = {Superuid density in overdoped cuprates: thin films versus bulk samples},
author = {S. V. Dordevic and C. C. Homes},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.13987},
year = {2022}
}