Zr$_5$Ge$_3$ 化合物中位点选择性 Ru 掺杂研究的超导性
超导电性
2018-02-14 v1
摘要
为寻找过渡金属掺杂 ZrGe 体系中可能的超导性，已开展系统的掺杂研究。在 Ru 掺杂的 ZrGeRu 样品中发现了高达 5.7K 的超导性。有趣的是，在相同 Ru 掺杂下，超导性仅在对 Ge 位点掺杂时被诱导出来，而在对 Zr 位点或间隙位掺杂时直至 1.8K 仍未出现。磁性与输运研究均揭示了 Ru 掺杂 ZrGeRu 样品的体超导性质。高上限临界场、增强的电子关联以及极小的电声耦合，均表明该体系中可能存在非常规超导性，这值得进一步详尽的理论与实验研究。
引用
@article{arxiv.1712.04351,
title = {Superconductivity from site-selective Ru doping studies in Zr$_5$Ge$_3$ compound},
author = {Sheng Li and Xiaoyuan Liu and Varun Anand and Bing Lv},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.04351},
year = {2018}
}
备注
11 pages, 7 figures, New J. Phys (Accepted)