常压下生长的 $\mathrm{LaO_{0.5}F_{0.5}BiS_{2}}$ 中的超导能隙结构
超导电性
2016-12-07 v1
摘要
我们对常压下生长的多晶 进行了横场μ子自旋弛豫（TF-SR）测量。通过这些测量，在低至25 mK的温度下未发现任何磁有序的迹象。外推至0 K的磁穿透深度值为0.89 (5) m。超导穿透深度的温度依赖性最好由以下两种模型之一描述：一种是具有 = 0.947 (7) meV 和 = 0.22 (4) meV 的多能隙 s + s 波模型，另一种是具有 = 0.776 meV 和各向异性能隙幅度比 = 0.34 的各向异性 s 波模型。我们讨论了与其他潜在多能隙 基超导体的比较。我们发现这些 基超导体，包括 和高压合成的 ，普遍符合上村关系。
引用
@article{arxiv.1611.04726,
title = {Superconducting gap structure in ambient-pressure-grown $\mathrm{LaO_{0.5}F_{0.5}BiS_{2}}$},
author = {Jian Zhang and K. Huang and Z. F. Ding and D. E. MacLaughlin and O. O. Bernal and P. -C. Ho and C. Tan and X. Liu and D. Yazici and M. B. Maple and Lei Shu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.04726},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 4 figures