BiS2 基超导体 LaO0.5F0.5BiS2 的各向异性上临界场

Yoshikazu Mizuguchi; Atsushi Miyake; Kazuto Akiba; Masashi Tokunaga; Joe Kajitani; Osuke Miura

doi:10.1103/PhysRevB.89.174515

BiS2 基超导体 LaO0.5F0.5BiS2 的各向异性上临界场

超导电性 2014-05-28 v1

作者: Yoshikazu Mizuguchi , Atsushi Miyake , Kazuto Akiba , Masashi Tokunaga , Joe Kajitani , Osuke Miura

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摘要

研究了新型 BiS2 基层状超导体 LaO0.5F0.5BiS2（采用高压合成法制备的多晶样品）在高磁场下的超导性质。通过分析电阻率温度导数的温度依赖性，讨论了上临界场的各向异性。上临界场的温度依赖性表现出异常行为，其特征磁场为 8 T。我们揭示了这种异常行为是由 LaO0.5F0.5BiS2 中存在三种上临界场（HC2max、HC2mid 和 HC2min）引起的。最低的上临界场 HC2min 被视为 Hc2，此时磁场方向平行于 c 轴（H // c）的晶粒超导态被抑制。HC2max 和 HC2mid 被视为 Hc2，此时磁场方向平行于 ab 面（H // ab）的晶粒超导态被抑制。HC2max 与 HC2mid 之间的差异可以用 Bi-S 面内超导态的各向异性来解释。对于高压合成的 LaO0.5F0.5BiS2 多晶样品，估算的上临界场各向异性参数约为 7.4。由于该值明显低于先前报道中在常压下生长的 LaO0.5F0.5BiS2 单晶中观察到的超过 30 的各向异性参数，我们得出结论：较大的超导各向异性对于提高 $T_c$ 并非必要，而在 LaO1-xFxBiS2 中，较低的各向异性可能对获得更高的 $T_c$ 更为重要。

关键词

BiS2 基超导体上临界场各向异性高压合成 LaO0.5F0.5BiS2 超导晶粒临界温度

引用

@article{arxiv.1404.3798,
  title  = {Anisotropic upper critical field of BiS2-based superconductor LaO0.5F0.5BiS2},
  author = {Yoshikazu Mizuguchi and Atsushi Miyake and Kazuto Akiba and Masashi Tokunaga and Joe Kajitani and Osuke Miura},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1404.3798},
  year   = {2014}
}

备注

14 pages, 7 figures

BiS2 基超导体 LaO0.5F0.5BiS2 的各向异性上临界场

摘要

关键词

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备注

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