非晶 WSi 中的超导涨落与特征时间尺度

我们研究了在二维非晶 WSi 薄膜中，对光子诱导热点的形成与弛豫起主导作用的电子-电子与电子-声子相互作用时间的大小及温度依赖性。这些时间常数通过超导涨落区中垂直磁场下的磁电导测量以及对待光学脉冲的时间分辨光响应获得。过剩磁电导通过弱局域化效应和超导涨落来解释。当温度相当接近 Tc 时，在较高磁场范围内，单独的 Aslamazov-Larkin 与 Maki-Thompson 超导涨落无法重现磁场依赖性，因为由短寿命库珀对形成引起的电子态密度抑制需要被考虑。非弹性散射时间尺度 ${\tau}_i$ 归因于电子-电子（${\tau}_{e-e}$）与电子-声子（${\tau}_{e-ph}$）相互作用时间以及特征电子-涨落时间（${\tau}_{e-fl}$）的组合，由此可从测得的 ${\tau}_i$ 中提取它们的大小与温度依赖性。声子-电子（${\tau}_{ph-e}$）与电子-声子相互作用时间的比值通过 WSi 微桥的光学光响应测量获得。较大的 ${\tau}_{e-ph}/{\tau}_{ph-e}$ 与 ${\tau}_{e-ph}/{\tau}_{e-e}$ 比值确保在 WSi 中光子能量比常用于超导纳米线单光子探测器（SNSPD）技术中的其他材料更高效地约束在电子子系统中。我们讨论了相互作用时间对热点动力学的影响，并比较了不同材料 SNSPD 的相关指标。