具有稀化坡莫合金自由层的低温自旋矩自旋阀存储单元的亚纳秒开关
应用物理
2019-06-03 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们研究了具有面内磁化稀化坡莫合金与未稀化坡莫合金自由层的自旋阀纳米柱在低温弹道区下的脉冲电流开关特性。稀化坡莫合金自由层器件开关速度快得多：坡莫合金自由层（Ni0.83Fe0.17）器件的特性开关时间为 1.18 ns，而稀化坡莫合金（[Ni0.83Fe0.17]0.6Cu0.4）自由层器件为 0.475 ns。弹道宏观自旋模型可捕捉数据趋势：相对于坡莫合金器件，稀化坡莫合金自由层具有减小的自旋矩不对称参数、减小的自旋极化率以及增大的 Gilbert 阻尼。我们的研究表明，降低自由层磁化强度可提升开关速度，同时大幅降低开关能耗，并展示了一条通向与超导电子学兼容的更低功耗磁存储器件的可行路径。
引用
@article{arxiv.1905.13262,
title = {Sub-nanosecond switching in a cryogenic spin-torque spin-valve memory element with a dilute permalloy free layer},
author = {Laura Rehm and Volker Sluka and Graham E. Rowlands and Minh-Hai Nguyen and Thomas A. Ohki and Andrew D. Kent},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.13262},
year = {2019}
}