自旋转移矩翻转的策略与容差
介观与纳米尺度物理
2015-05-18 v1
摘要
研究了通过具有不同注入电子极化的自旋矩效应翻转纳米磁存储器的方案。基于宏自旋和微磁理论进行了模拟并比较。我们证明，与共面内自旋极化的自旋矩翻转相比，通过短脉冲和自由进动的垂直极化电流翻转需要更少的时间和能量；并且发现它优于其他类型的存储器。我们研究了翻转对电流大小和脉冲持续时间的容差。发现增加吉尔伯特阻尼可改善垂直翻转的容差而不增加阈值电流，这与面内翻转不同。
引用
@article{arxiv.1001.4578,
title = {Strategies and tolerances of spin transfer torque switching},
author = {Dmitri E. Nikonov and George I. Bourianoff and Graham Rowlands and Ilya N. Krivorotov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1001.4578},
year = {2015}
}
备注
40 pages, 16 figures