压力对MgB$_2$磁渗透深度影响的研究

D. Di Castro; R. Khasanov; C. Grimaldi; J. Karpinski; S. M. Kazakov; H. Keller

doi:10.1103/PhysRevB.72.094504

压力对MgB$_2$磁渗透深度影响的研究

超导电性 2009-11-10 v1

作者: D. Di Castro , R. Khasanov , C. Grimaldi , J. Karpinski , S. M. Kazakov , H. Keller

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摘要

对压力对 polycrystalline MgB $_{2}$ 磁渗透深度 $\lambda$ 的影响进行了研究，通过测量在0.15和1.13 GPa应力下磁化温度依赖性。我们发现，低温下 $\lambda^{-2}$ 仅轻微受压力影响[ $\frac{\Delta \lambda^{-2}}{\lambda^{-2}} = 1.5(9)%$ ]，与钙钾超导体不同，在相同范围的压力下对 $\lambda^{-2}$ 影响很大。理论估计表明，MgB $_2$ 中 $\lambda^{-2}$ 的大部分压力效应源于电子-声子相互作用。

关键词

磁渗透深度压力效应 MgB$_2$ 电子-声子相互作用超导体

引用

@article{arxiv.cond-mat/0411719,
  title  = {Study of pressure effect on the magnetic penetration depth in MgB$_2$},
  author = {D. Di Castro and R. Khasanov and C. Grimaldi and J. Karpinski and S. M. Kazakov and H. Keller},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0411719},
  year   = {2009}
}

备注

5 pages, 2 figures

压力对MgB$_2$磁渗透深度影响的研究

摘要

关键词

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备注

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