泊肃叶区中的强耦合电子流体

在将固体中电子描述为流体力学区流体的背景下，我们考虑电子在有限宽度通道中的流动，即泊肃叶流。电子由恒定电场加速。我们发展了 2+1 维相应的相对论流体力学形式体系，并表明即使无杂质，由于边界引起的动量弛豫，该流体也具有有限直流电导率。我们利用涉及 AdS/CFT 对应性的方法考察强耦合区中的系统。我们计算并研究了跨通道的速度剖面，由此获得微分电阻 $dV/dI$。我们发现 $dV/dI$ 随电流 $I$ 增大而减小，正如泊肃叶流所预期，在强耦合与相对论速度区亦然。此外，我们通过改变 $\eta/s$（剪切黏度与熵密度之比）来改变耦合强度。我们发现当耦合增强时 $dV/dI$ 减小。我们还发现强耦合流体更可能变得超相对论性与湍流化。这些结论对是否存在杂质不敏感。特别地，我们预言在那些小电流下已明显处于流体力学区的通道中，直流通道电阻强烈依赖于 $\eta/s$。