稀土钡铜氧中高生长速率下的强钉扎
超导电性
2020-11-18 v3
摘要
我们提出了一种简单的液相辅助处理(LAP)方法，在脉冲激光沉积生长过程中原位使用，以实现高生长速率(50 Hz沉积速率下单羽流下达到>250 nm/min)和强钉扎(相比以相似速率生长的一般标准YBCO薄膜提升5-10倍)。同时实现这两个重要特征迄今为止一直是一个严重的瓶颈。LAP增强了薄膜生长的动力学，使得在正常速率最高60倍的生长速率下仍能获得良好的晶体完整性，同时使人工钉扎中心自组装成精细纳米柱。此外，LAP允许稀土(RE)混合(80% Y与20% Yb、Sm或Yb+Sm)，在REBCO晶格内产生有效的类点无序，从而在30 K及以下显著改善钉扎。总体而言，LAP是一种简单的方法，可被其他原位物理或气相沉积方法(即PLD、MOCVD、蒸发等)采用，以显著提升生长速率和性能。
引用
@article{arxiv.2011.01116,
title = {Strong pinning at high growth rates in Rare Earth Barium Cuprate},
author = {J. Feighan and M. H. Lai and A. Kursumovic and D. Zhang and H. Wang and J. H. Lee and S Moon and J. L. MacManus-Driscoll},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.01116},
year = {2020}
}
备注
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