低磁场下石墨烯Corbino圆盘中的强磁电阻

我们测量了悬浮石墨烯在Corbino几何构型下、磁场最高达$B=0.15\,$T（即不受Shubnikov-de Haas振荡影响的 regime）的磁电阻。低温相对磁电阻$[R(B)-R(0)]/R(0)$在Dirac点处（ $B$ 以Tesla为单位）达到$4000 B^2\%$，且在$30\,$K以下温度依赖性相当弱。当载流子密度增大到$|n| \simeq 3 \times 10^{-10}$ cm$^{-2}$时，相对磁电阻减小为原来的二分之一。磁电阻的栅压依赖性使我们能够刻画长程（库仑杂质、涟漪）与短程势散射的作用，并将体电阻与接触电阻分离开来。此外，我们发现电荷中性点位置随磁场增大而发生偏移，这表明磁场改变了Dirac点附近库仑杂质的屏蔽。我们器件在$4\,$K、$1\,$kHz下的电流噪声为$10^{-23}$ A$^2$/$\sqrt{\textrm{Hz}}$，对应于在$0.15\,$T背景场中$60$ nT/$\sqrt{\textrm{Hz}}$的磁场灵敏度。