石墨界面电子-声子耦合导致的魔厚度Yb薄膜强能带扭折
介观与纳米尺度物理
2019-06-21 v1
摘要
超薄薄膜中的界面电子-声子耦合引起了广泛关注；它可产生新颖的效应与现象，包括增强的超导电性。本文报道了在石墨上生长的超薄Yb薄膜中量子阱态能带色散出现强扭折的观测结果。这些源于界面电子-声子耦合的扭折在具有优选（“魔”）厚度4单层的薄膜中最为显著，此类薄膜受衬底应变并呈空穴掺杂。扭折的能量位置与石墨的光学声子能量吻合良好，提取出的电子-声子耦合强度{\lambda}表现出强烈的子带依赖性，最大值可达0.6。扭折随薄膜厚度增加迅速衰减，与其界面起源一致。{\lambda}的变化与界面处电子波函数振幅的演化相关。在魔厚度稍外处发生Lifshitz转变，此时重Yb 5d能带开始在费米能级正下方占据。
引用
@article{arxiv.1906.08564,
title = {Strong band kinks in magic-thickness Yb films arising from interfacial electron-phonon coupling},
author = {Yi Wu and Yuan Fang and Shuyi Zhou and Peng Li and Zhongzheng Wu and Zhiguang Xiao and Xiaoxiong Wang and Chao Cao and Tai-Chang Chiang and Yang Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.08564},
year = {2019}
}
备注
4 figures