薄石墨膜中带隙的增强用于异质结构形成
介观与纳米尺度物理
2014-04-28 v3 强关联电子
摘要
存在大量原子级薄的石墨膜，其结构与石墨烯相似。这些薄膜的带隙范围与其离子性以及生长所在的衬底有关。此类薄膜在数字电子学中可能具有广泛的应用，而石墨烯在其中难以使用。我利用动力学团簇近似展示了薄膜与衬底之间的电子 - 声子耦合如何以依赖于耦合范围和强度的方式增强这些带隙。导致这一效应的驱动因素之一是蜂窝晶格上电子的电荷密度波不稳定性附近的特性。中等耦合下的增强效应足够显著，使得空间变化的衬底和超衬底可用于在薄石墨膜中创建具有位置依赖性电子 - 声子耦合和带隙的异质结构，从而制造先进的电子元件。
引用
@article{arxiv.1303.6941,
title = {Enhancement of gaps in thin graphitic films for heterostructure formation},
author = {J. P. Hague},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.6941},
year = {2014}
}
备注
To appear in Phys. Rev. B