Si_{1-x}$Ge_{x} 合金的应变松弛机制及局部结构变化
材料科学
2009-10-31 v1
摘要
本文针对 Si_{1-x} Ge_{x} 合金的结构与电子性质问题展开研究，主要探讨：(i) 硅与锗单质体的晶格常数失配在合金体系中如何体现？(ii) 相关的应变释放机制是什么？通过采用 ab initio 分子动力学方法深入研究应变松弛引起的局部几何与电子结构变化。优化后的晶格常数虽遵循组成分数线性依赖的总体趋势（维加德定律），但在 x≈0.5 处出现负偏离。我们阐明导致上述各项现象的机制：径向应变通过键长拉伸实现松弛，决定了晶格常数随组成线性变化的总体趋势；而维加德定律的负偏离则源于角向应变的松弛。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0012220,
title = {Strain Relaxation Mechanisms and Local Structural Changes in Si_{1-x}$Ge_{x} Alloys},
author = {Ming Yu and C. S. Jayanthi and David A. Drabold and S. Y. Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0012220},
year = {2009}
}
备注
21 pages, 7 figures