应变诱导氧化石墨烯纳米片中 Al 功能化的稳定化以增强 NH3 存储
材料科学
2015-06-05 v2 化学物理
计算物理
摘要
利用第一性原理计算研究了应变对氧化石墨烯 (GO) 纳米片上 Al 吸附原子稳定性的影响及其对 NH3 存储的启示。研究发现，GO 上 Al 吸附原子的结合能是其稳定性的错误指标。拉伸应变被发现在稳定 GO 上的 Al 吸附原子方面非常有效，它通过增强从 C 原子到 O 原子的电荷转移强化了 C-O 键。有趣的是，研究发现 C-O 键强度是 Al 稳定性的正确指标。最佳应变下的 Al 功能化 GO 可结合多达 6 个 NH3 分子，而在无应变条件下则不结合任何 NH3 分子。
引用
@article{arxiv.1207.5243,
title = {Strain-induced stabilization of Al functionalization in graphene oxide nanosheet for enhanced NH3 storage},
author = {Yunguo Li and Abir De Sarkar and Biswarup Pathak and Rajeev Ahuja},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.5243},
year = {2015}
}
备注
11 pages, 3 figures, 4 tables, Applied Physics Letters (Under Review)