边缘掺杂氮化硼纳米带中应变诱导的可编程半金属与自旋无隙半导体
介观与纳米尺度物理
2016-03-02 v2
摘要
在自旋电子学材料设计中，对半金属和自旋无隙半导体的探索已引起广泛关注。此类探索的现有进展常需要特殊的原子晶格构型，且缺乏对所得电子特性的主动控制。在此我们揭示，具有碳掺杂边缘的氮化硼纳米带可以可编程方式制成半金属或自旋无隙半导体。机械应变用作半金属和自旋无隙半导体功能实现的开关。我们的发现阐明了边缘掺杂结合应变工程如何影响二维材料的电子特性。
引用
@article{arxiv.1601.05010,
title = {Strain-induced programmable half-metal and spin-gapless semiconductor in an edge-doped boron nitride nanoribbon},
author = {Shuze Zhu and Teng Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.05010},
year = {2016}
}