层状 $\text{TiS}_3$ 中应变诱导的带隙工程
材料科学
2015-09-03 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
通过结合 {\it ab initio} 计算与实验，我们展示了如何通过引入拉伸或压缩应变来改变过渡金属三硫族化合物 TiS 的带隙。数值计算表明，通过引入静水压或应变，可以改变单层、双层和块体材料的层状 TiS 的电子带隙。此外，我们发现当沿易输运方向增加应变时，单层和双层表现出从直接带隙到间接带隙的转变。控制带隙及其性质的能力可能会对 TiS 在光学应用中的使用产生影响。我们通过光吸收实验验证了我们的预测，实验表明沿易输运方向施加拉伸应力时，带隙增加了高达 10\%。
引用
@article{arxiv.1509.00532,
title = {Strain induced bang-gap engineering in layered $\text{TiS}_3$},
author = {Robert Biele and Eduardo Flores and Jose Ramon Ares and Carlos Sanchez and Isabel J. Ferrer and Gabino Rubio-Bollinger and Andres Castellanos-Gomez and Roberto D'Agosta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.00532},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 5 figures, latex2e (pdflatex)