应变掺杂：通过氦注入实现复杂氧化物晶格的可逆单轴控制
强关联电子
2015-06-30 v1 材料科学
摘要
我们报道了利用氦离子注入在外延La0.7Sr0.3MnO3薄膜中独立控制面外晶格常数而不改变面内晶格常数。该过程可通过真空退火逆转。电阻和磁化测量表明，即使面外晶格常数增加小于1%，也可使金属-绝缘体转变和居里温度偏移超过100 {\deg}C。与传统的基于外延的应变调控方法不同（后者不仅受泊松效应限制，还受可用衬底种类有限的限制），本研究表明应变可沿单轴独立且连续地控制。这使得通过Jahn-Teller效应对轨道占据实现新颖调控，正如在双交换模型上的蒙特卡洛模拟所示。可逆控制单一晶格参数的能力大幅拓宽了预测模型实验探索的相空间，并为控制材料功能特性带来新可能。
引用
@article{arxiv.1506.08659,
title = {Strain Doping: Reversible Single-Axis Control of a Complex Oxide Lattice via Helium Implantation},
author = {Hangwen Guo and Shuai Dong and Philip D. Rack and John D. Budai and Christianne Beekman and Zheng Gai and Wolter Siemons and C. M. Gonzalez and R. Timilsina and Anthony T. Wong and Andreas Herklotz and Paul C. Snijders and Elbio Dagotto and Thomas Z. Ward},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.08659},
year = {2015}
}