碳化硅中替代镍的应变自旋操控
材料科学
2016-07-05 v1
摘要
通过在广义梯度近似（GGA）内使用全势线性缀加平面波（FP-LAPW）方法和全势局域轨道最小基（FP-LOMB）方法，我们研究了碳化硅多型体中镍和铬单掺杂剂的电子结构和磁性。发现缺陷的磁相强烈依赖于超胞上的外部应力。在3C-SiC中，Ni单掺杂剂在Si-sub和C-sub情况下的中等压缩和拉伸静水压应变下表现出反铁磁（AFM）到铁磁（FM）的转变。相比之下，4H-SiC中的Ni单掺杂剂在外部应力下稳定处于非磁相。Cr单掺杂剂对施加的应力也不敏感，但稳定处于磁相。这种应变控制的磁转变使Ni单掺杂剂成为一种新型的量子比特方案。
引用
@article{arxiv.1607.00441,
title = {Strain-based Spin Manipulation on Substitutional Nickel in Silicon Carbide},
author = {Wenhao Hu and Michael E. Flatté},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.00441},
year = {2016}
}
备注
10 pages, 14 figures