在 Ni 掺杂石墨烯中开启磁性

E. J. G. Santos; A. Ayuela; S. B. Fagan; J. Mendes Filho; D. L. Azevedo; A. G. Souza Filho; D. Sánchez-Portal

在 Ni 掺杂石墨烯中开启磁性

介观与纳米尺度物理 2008-09-18 v1

作者: E. J. G. Santos , A. Ayuela , S. B. Fagan , J. Mendes Filho , D. L. Azevedo , A. G. Souza Filho , D. Sánchez-Portal

摘要

对于未来自旋电子学应用至关重要的石墨烯碳纳米结构的磁性，关键取决于掺杂和缺陷的存在。在本文中，我们研究了最近检测到的替代 Ni（Ni(sub)）杂质的磁性。Ni(sub) 缺陷在平坦石墨烯中是非磁性的，并且仅在金属纳米管中发展出非零磁矩。这种令人惊讶的行为源于 Ni(sub) 电子结构对曲率的特殊依赖性。通过向平坦石墨烯层施加各向异性应变，可以预期 Ni(sub) 出现类似的磁性/非磁性转变。

关键词

Ni 掺杂石墨烯磁性替代 Ni 杂质曲率依赖性电子结构磁性/非磁性转变各向异性应变

引用

@article{arxiv.0809.2901,
  title  = {Switching On Magnetism in Ni-doped Graphene},
  author = {E. J. G. Santos and A. Ayuela and S. B. Fagan and J. Mendes Filho and D. L. Azevedo and A. G. Souza Filho and D. Sánchez-Portal},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0809.2901},
  year   = {2008}
}

备注

4 pages, 6 figures

在 Ni 掺杂石墨烯中开启磁性

摘要

关键词

引用

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