La$_{(1-{\delta})}$Al$_{(1+{\delta})}$O$_3$/SrTiO$_3$界面电势屏蔽的化学计量比依赖

对沉积在SrTiO$_3$上的10原胞La$_{(1-{\delta})}$Al$_{(1+{\delta})}$O$_3$薄膜（La:Al比为1.1、1.0和0.9）进行了硬X射线光电子能谱（HAXPES）和可变动能X射线光电子能谱（VKE-XPS）分析。在三件薄膜中，仅富Al薄膜已知具有导电界面。VKE-XPS与最大熵分析相结合，显示出富Al、富La和化学计量薄膜之间成分深度分布的显著差异；在富La和化学计量薄膜中观察到界面处显著的La富集，而富Al薄膜显示极少或无混合。此外，富La和化学计量薄膜在表面显示高浓度的Al，这在富Al薄膜中未观察到。HAXPES价带（VB）分析显示，相对于具有绝缘界面的化学计量和富La样品，富Al样品的价带变宽。这种变宽与富Al薄膜上的电场一致。这些结果与缺陷驱动的电子重构一致。