覆盖天然氧化层的硅量子点电流-电压特性上的台阶
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v2
摘要
考虑由覆盖天然氧化层的硅量子点与两个金属电极构成的双势垒结构，我们推导出了产生阶梯状电压-电流曲线的简单条件。由于标准的化学性质，位于量子点特定区域内的磷掺杂原子形成了几何上平行的电流通道。电流台阶的高度通常等于 (1.2 pA)N，其中 N=0,1,2,3... 为该区域内掺杂原子的数目，且几乎不依赖于掺杂原子的实际位置。所发现的条件在实验上可获得的结构中是可行的。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0210104,
title = {Steps on current-voltage characteristics of a silicon quantum dot covered by natural oxide},
author = {S. V. Vyshenski and U. Zeitler and R. J. Haug},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0210104},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures