界面约瑟夫森结中超电流量子化的证据
超导电性
2009-10-30 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们在高透射率的Nb/Si超导体/半导体界面中观察到能隙以上电流/电压特性的一系列不连续性。每个开关发生的偏压随温度和磁场呈量子化台阶式下降。观察到的台阶大小对两种依赖关系都是相同的。我们提出这些台阶对应于界面附近形成的颗粒状约瑟夫森结中的超电流量子化。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9707071,
title = {Evidence for Supercurrent Quantization in Interfacial Josephson Junctions},
author = {M. J. Black and B. W. Alphenaar and H. Ahmed},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9707071},
year = {2009}
}
备注
Submitted to PRL 8 pages, 4 figures. Text file is paper.tex and Figs. 1 - 4 are GIF files