离子辐照硅粘弹性模型的稳定性分析
数学物理
2015-06-03 v1 软凝聚态物质
math.MP
摘要
为了研究Ar+辐照Si表面顶部生成的非晶薄膜内的应力效应，我们将该薄膜建模为粘弹性介质，离子束持续向其中注入双轴压应力。我们发现，在垂直入射下，该模型预测的稳态压应力大小与实验相当。然而，垂直入射下的线性稳定性分析表明，这种应力产生机制由于纯运动学物质流动而具有无条件稳定性，且不依赖于任何材料参数。因此，尽管文献中对其在图案形成中的潜在作用存在合理推测，我们得出结论：垂直入射下的束流应力在任何能量下都不太可能是不稳定性的来源，这支持了将六角有序点阵归因于成分效应的近期理论。此外，我们发现弹性模量既不出现在稳态薄膜应力中，也不出现在主阶平滑效应中，这表明即使忽略弹性，也能捕捉到应力的主要效应。这将极大简化未来对高度非平面表面演化的解析研究，在这些研究中，束流注入应力被视为重要效应。
引用
@article{arxiv.1201.2639,
title = {Stability analysis of a viscoelastic model for ion-irradiated silicon},
author = {Scott A. Norris},
journal= {arXiv preprint arXiv:1201.2639},
year = {2015}
}