Si(111) 表面在蒸发与生长时的螺旋：REM 与 LODREM 观测
材料科学
2007-06-18 v1
摘要
我们利用最近提出的改进反射电子显微术（REM）方法，在理想的热力学条件下研究 Si(111) 表面螺旋形状和螺旋。结果表明，新方法称为低失真反射电子显微术（LODREM）是一种强大的仪器，能够比 REM 更详细地解析晶体表面的生长或蒸发螺旋。更准确地说，我们考察了螺旋在生长（或蒸发）时相邻两步之间的距离与 supersaturation（或 undersaturation）之间的关系。我们发现，这一距离与一个接近 -1/2 的指数相关。这一结果偏离了 BCF 理论，源于步骤处 adatoms 附着动力学的非局部行为。
关键词
引用
@article{arxiv.0706.2308,
title = {Spirals on Si(111) at sublimation and growth: REM and LODREM observations},
author = {B. Ranguelov and J. J. Metois and P. Muller},
journal= {arXiv preprint arXiv:0706.2308},
year = {2007}
}
备注
21 pages, 8 figures