非简并硅中的自旋卡洛里电子学信号产生
应用物理
2018-05-09 v1
摘要
在非简并 Si 自旋阀中演示了由于热自旋注入和自旋输运导致的自旋卡洛里电子学信号产生。利用自旋依赖塞贝克效应进行自旋卡洛里电子学信号产生，Fe 和 Si 界面处约 200 mK 的温度梯度能够在室温下产生 8 {\mu}V 的自旋电压。对传统自旋漂移 - 扩散模型进行简单扩展并考虑自旋依赖塞贝克效应表明，与金属材料相比，半导体材料在自旋卡洛里电子学信号产生方面极具潜力，这使得在半导体自旋器件中实现高效的热回收成为可能。
引用
@article{arxiv.1708.07108,
title = {Spincaloritronic signal generation in non-degenerate Si},
author = {Naoto Yamashita and Yuichiro Ando and Hayato Koike and Shinji Miwa and Yoshishige Suzuki and Masashi Shiraishi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.07108},
year = {2018}
}
备注
17 pages, 4 figures, Supplemental Materials