n 型硅中电子自旋极化的热产生
材料科学
2014-03-17 v1 介观与纳米尺度物理
量子物理
摘要
将热量转换为电子掺杂硅中的自旋电流可为自旋卡洛电子学提供一条有前景的途径。在此，我们通过在铁磁隧道结两端产生温度梯度，在 n 型硅的导带中产生了电子自旋极化。基底加热实验诱导出了 95 V 的大自旋信号，对应于通过 Seebeck 自旋隧道机制在 n 型硅导带中产生的 0.54 meV 自旋分裂。自旋注入的热起源已通过自旋信号与焦耳加热电流的二次方缩放关系以及与加热功率的线性依赖关系得到证实。
引用
@article{arxiv.1403.3528,
title = {Thermal Creation of Electron Spin Polarization in n-Type Silicon},
author = {André Dankert and Saroj P. Dash},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.3528},
year = {2014}
}