分数量子霍尔区中的自旋跃迁：波函数展宽的影响
介观与纳米尺度物理
2013-02-15 v2 强关联电子
摘要
利用磁电容技术，我们确定了 GaAs/AlGaAs 异质结中二维电子系统在填充因子 nu=2/3 处的自旋跃迁磁场 B*。研究发现，随着由背栅电压控制的波函数展宽增加，磁场 B* 显著减小。我们的计算表明，库仑能变化和非抛物性引起的 g 因子变化对 B* 偏移的贡献大致相同。观测到的 B* 相对偏移无需任何拟合参数即可描述。
引用
@article{arxiv.1210.0387,
title = {Spin transition in the fractional quantum Hall regime: Effect of extent of the wave function},
author = {V. V. Vanovsky and V. S. Khrapai and A. A. Shashkin and V. Pellegrini and L. Sorba and G. Biasiol},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.0387},
year = {2013}
}
备注
as published