立方GaN中X谷的自旋-轨道耦合与g因子

K. Shen; J. Y. Fu; M. W. Wu

doi:10.1016/j.ssc.2011.09.019

立方GaN中X谷的自旋-轨道耦合与g因子

材料科学 2011-10-27 v1

作者: K. Shen , J. Y. Fu , M. W. Wu

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摘要

我们报告了对立方GaN中X谷的自旋-轨道耦合和g因子的理论研究。我们发现，基于sp³d⁵s*紧束缚模型得到的自旋-轨道耦合系数为0.029 eV·Å，与立方GaAs中的相应值相当。通过运用k·p理论，我们发现这种情况下的g因子与自由电子g因子仅有微小差异。这些结果预计将对立方GaN中远离平衡态的自旋动力学正在进行的研究具有重要意义。

关键词

自旋-轨道耦合 g因子立方GaN X谷紧束缚模型 k·p理论自旋动力学

引用

@article{arxiv.1108.2059,
  title  = {Spin-orbit coupling and $g$-factor of $X$-valley in cubic GaN},
  author = {K. Shen and J. Y. Fu and M. W. Wu},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1108.2059},
  year   = {2011}
}

备注

3 pages, 1 figure

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