自旋量子比特与超导带状线腔的强耦合
介观与纳米尺度物理
2012-09-05 v2 量子物理
摘要
我们研究了嵌入超导带状线腔中的单自旋双量子点内的电子 - 自旋 - 光子耦合。在外加磁场下，我们表明自旋轨道相互作用（针对 InAs）或非均匀磁场（针对 Si 和 GaAs）均可产生强自旋 - 光子耦合，耦合强度量级为 1 MHz。对于具有极长电子自旋相干时间的同位素纯化 Si 双量子点，有可能实现自旋与腔光子之间的强耦合极限，类似于腔量子电动力学中的情形。耦合强度和弛豫率是基于现有器件参数计算的，使得该方案在实验上可行。
引用
@article{arxiv.1204.4732,
title = {Strong coupling of a spin qubit to a superconducting stripline cavity},
author = {Xuedong Hu and Yu-xi Liu and Franco Nori},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.4732},
year = {2012}
}
备注
6 pages, 2 figures. Published version