退核半导体中的自旋注入与电场效应

我们分析了在 $T\stackrel{<}{\sim}T_F$ 条件下（即中间到退核 regime）的半导体自旋输运。该条件至关重要，因为它包括大多数实验中使用的轻掺杂半导体结构；同时我们也证明了在该条件下载流子-载流子相互作用发挥重要作用。从一般的漂移-扩散方程推导开始，其中包含多体关联效应，我们对各种异质结构的自旋注入特性进行了详细计算，并分析了载流子密度变化、施加电场和库仑相互作用的综合效应。我们表明，半导体存在一种特殊的退核 regime，其在自旋输运方面与金属的退核 regime 截然不同。