热蒸发萘基二胺衍生物薄膜中的自旋电流弛豫时间
材料科学
2023-11-22 v1
摘要
利用自旋泵浦诱导的自旋输运性质以及 a-NPD 薄膜中的电流-电压性质，评估了热蒸发萘基二胺衍生物 N, N'-双(萘-1-基)-N, N'-双(苯基)-2,2'-二甲基联苯胺（a-NPD）薄膜中自旋输运的自旋弛豫时间（tau）。获得 a-NPD 薄膜中载流子的零偏压迁移率约为 1.2*10-3 cm2/Vs，扩散常数约为 3.0*10-5 cm2/s。利用这些数值以及先前评估的 a-NPD 薄膜中约 62 nm 的自旋扩散长度，在假设 a-NPD 薄膜中自旋电流为扩散输运的前提下，估算出 a-NPD 薄膜在室温下的 tau 约为 1.9 微秒。该估算的 a-NPD 薄膜 tau 足够长，可作为自旋电子分子材料实际应用。
引用
@article{arxiv.2311.12406,
title = {Spin current relaxation time in thermally evaporated naphthyl diamine derivative films},
author = {Eiji Shikoh and Yuichiro Onishi and Yoshio Teki},
journal= {arXiv preprint arXiv:2311.12406},
year = {2023}
}
备注
18 pages, 3 figures