热蒸发并五苯薄膜中的自旋电流弛豫时间
材料科学
2017-02-01 v2
摘要
通过并五苯薄膜中自旋泵浦诱导的自旋输运性质和电荷电流输运性质，评估了热蒸发并五苯薄膜中的自旋电流弛豫时间 [tau]。在假设并五苯薄膜中自旋电流为扩散输运的前提下，实验测得并五苯薄膜中空穴的零场迁移率和扩散常数分别约为 8.0x10^-7 m^2/Vs 和 2.0x10^-8 m^2/s。利用这些数值以及先前获得的并五苯薄膜中 42{plus-minus}10 nm 的自旋扩散长度，估算出室温下并五苯薄膜中的 [tau] 为 150{plus-minus}120 ns。估算出的并五苯薄膜中的 [tau] 足够长，可作为自旋电子学材料实际使用。
引用
@article{arxiv.1609.07869,
title = {Spin current relaxation time in thermally evaporated pentacene films},
author = {Yasuo Tani and Takuya Kondo and Yoshio Teki and Eiji Shikoh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.07869},
year = {2017}
}
备注
20 pages, 3 figures. To be appeared in Appl. Phys. Lett