量子霍尔极域中的自旋瓶颈
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
我们提出了金属与部分自旋偏 polarized 二维电子体系(2DES)之间时间依赖隧穿的理论。我们发现，流向给 2DES 充电屏蔽电场的漏电流是由两个指数贡献组成，其相对权重取决于自旋相关隧穿导电率、隧结电容对量子校正，以及 2DES 自旋偏化趋于平衡的速率。在高迁移率且均匀的 2DES 在 Landau 能级填充因子 时，我们预测快速漏电率与慢速漏电率之比等于 ，其中 为 skyrmionic 基本带电激发中反转自旋的数量。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9906049,
title = {Spin Bottlenecks in the Quantum Hall Regim},
author = {A. H. MacDonald},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9906049},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures, submitted to Phys. Rev. Lett