底偶素的谱与电磁跃迁

受观测到新底偶素态的令人振奋的进展所推动，我们研究了底偶素谱。为了计算质量谱，我们采用非相对论屏蔽势模型。采用三点差分中心法求解径向 Schrödinger 方程，其中自旋相关势以非微扰方式处理。通过这种处理，可以成功地包含自旋相关势对波函数的修正。此外，我们使用广泛应用于介子光生反应的非相对论电磁跃迁算符，计算了 $nS$ ($n\leq 4$)、$nP$ ($n\leq 3$) 和 $nD$ ($n\leq 2$) 底偶素态的电磁跃迁。我们预测的底偶素态的质量、超精细与精细劈裂、电磁跃迁宽度和分支比与可用的实验数据吻合良好。特别是，先前研究中未能很好理解的 $\Upsilon(3S)\to \chi_{b1,2}(1P)\gamma$ 的电磁跃迁，可以通过考虑自旋相关相互作用对波函数的修正来合理解释。我们还讨论了利用辐射跃迁对缺失底偶素态的观测。建议观测一些涉及缺失底偶素态的重要辐射衰变链。我们希望我们的研究能为在即将到来的实验中观测和测量底偶素介子的性质提供有用的参考。