氧化物薄膜中可逆且具有空间选择性的掺杂控制
超导电性
2007-05-23 v1 强关联电子
摘要
我们描述了用于氧化物薄膜的可逆、具有空间选择性的掺杂方法。该技术用于创建超导体-反歇米尔顿绝缘体-超导体 (S-AFI-S) 结构以及 optimally doped 超导体-欠optimal doped 超导体-optimal doped 超导体 (OS-US-OS) 氧化物结构。我们展示了如何利用 S-AFI-S 结构在低温下将绝缘体区域的传输特性可靠地测量，利用超导体作为无缝电气导线。我们还讨论了使用该掺荷方法创建的结构所涉及的应用问题和基本问题。虽然本工作在 YBa2Cu3O7-δ 薄膜上实现，但该方法同样适用于任何其物理性质由氧含量决定的混合价过渡金属氧化物。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0508252,
title = {Spatially Selective and Reversible Doping Control in Cuprate Films},
author = {Seongshik Oh and Joseph A. Bonetti and Kevin Inderhees and D. J. Van Harlingen and J. N. Eckstein},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0508252},
year = {2007}
}
备注
14 pages, 4 figures