石墨烯中的斯格明子与维格纳晶体

在低能下，石墨烯的能带结构可近似为两个简并谷 $(K,K^{\prime})$，价带和导带的电子谱围绕这两个谷具有线性色散关系。该能带谱中的电子态是石墨烯蜂窝晶格中 $A$ 和 $B$ 子晶格状态的线性叠加。在量子化磁场中，能带谱分裂为朗道能级，其中 $N=0$ 能级在 $K(K^{\prime})$ 谷对 $B(A)$ 子晶格的权重为零。将谷指数视为赝自旋并假设真实自旋完全极化，我们在哈特里 - 福克近似下计算了维格纳晶体和斯格明子晶体的能量。我们表明，在某些填充因子 $\nu$ 围绕整数填充的范围内，斯格明子晶体的能量低于维格纳晶体，即没有赝自旋纹理的晶体。谷斯格明子晶体的集体模式谱除了通常的声子模式外，还有三个线性色散的戈德斯通模式，而维格纳晶体仅有一个具有二次色散的额外戈德斯通模式。我们评论了这些模式如何受无序影响，以及原则上微波吸收实验如何区分维格纳晶体和斯格明子晶体。