填充因子 $\nu=-1$ 下石墨烯中的自旋-谷斯格明子

我们通过CP3场理论对石墨烯单层在四分之一填充处的量子霍尔斯格明子建模，并研究在谷赝自旋各向异性和塞曼耦合存在下的能量最小化斯格明子。我们给出了在宽泛各向异性参数范围内的所有类型斯格明子图。对于每种斯格明子，我们在三个布洛赫球上将其可视化，并呈现其在石墨烯蜂窝晶格上纹理的剖面，从而为石墨烯单层量子霍尔区中自旋-赝自旋纹理的STM/STS成像提供参考。除了对应于N=0朗道能级中电子自旋和赝自旋自由度的自旋和赝自旋斯格明子外，我们讨论两种不寻常类型——‘纠缠斯格明子’，其纹理位于自旋与赝自旋纠缠的空间中，以及具有部分纠缠的‘泄气赝自旋斯格明子’。对于所有斯格明子类型，我们研究了斯格明子的能量和尺寸对各向异性参数和垂直磁场的依赖关系。我们还提出了三种修改各向异性能量的方法，即样品倾斜、衬底各向异性和谷赝自旋的塞曼耦合类似物。