布拉特分子结构单极-三极金锤效应：零偏置异常与磁阻

布拉特分子已被建议作为未来分子自旋电子器件的构建模块，由于其自由度特征和预期的长自旋寿命。然而，自由度特征在电荷传输和磁阻特性中如何表现，以及是否依赖于环境或尚未被研究。本文我们在低温下使用机械控制断裂接头装置，研究布拉特分子结构的单分子接头。微分导数谱在单个接头上显示两种零偏置异常，归因于金锤共振，表明该分子结构在两个端子装置中保留开壳态的能力。此外，还观察到无零偏置峰的接头中呈现强负磁阻。我们认为，强负磁阻源于受磁场下单极-三极金锤效应，来自于由布拉特分子结构与第二个侧耦合分子构成的双量子点系统。我们的发现不仅提供了在低温条件下使用布拉特分子进行双端子系统的可能性，也揭示了分子在接头内不同构型产生的磁阻特性。