与单层 MoS$_2$ 接口的氮化硅光子电路
材料科学
2015-09-07 v1 光学
摘要
我们报告了通过粘弹性层转移技术组装的氮化硅微谐振器与单层二硫化钼的集成。通过腔体透射测量，证实了从谐振器模式到单层的倏逝耦合。在此几何结构中，单层半导体薄片的吸收率测定为 850 dB/cm，高于具有相同厚度的石墨烯和黑磷。该技术可应用于多种单层半导体，以组装混合光电器件，如工作在宽光谱范围内的光电探测器和调制器。
引用
@article{arxiv.1506.02015,
title = {Silicon-nitride photonic circuits interfaced with monolayer MoS$_2$},
author = {Guohua Wei and Teodor K. Stanev and David A. Czaplewski and Il Woong Jung and Nathaniel P. Stern},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.02015},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 4 figures