用于超导量子比特三维集成的硅硬止挡间隔柱
应用物理
2019-07-31 v1 量子物理
摘要
随着超导量子比特设计日益复杂，为实现更高的密度与连通性，有必要将两块或多块垂直键合芯片进行三维集成。为准确预测电路性能，需要对这些芯片之间的间距进行精确控制。本文中，我们展示了利用硬止挡硅间隔柱改善键合超导量子比特芯片的平面度同时保持器件性能的方法。这些硅间隔柱通过向硅衬底刻蚀数微米来定义，且与三维集成量子比特制备工艺兼容。这包括 Josephson 结、超导空气桥交叉、凸点下金属化与铟凸点的制备。为验证该集成工艺，我们在刻蚀表面上展示了高品质因子谐振器，并测量了在距量子比特近至 350 μm 的硅柱存在下的量子比特相干性（T1、T2,echo > 40 μm）。
引用
@article{arxiv.1907.12882,
title = {Silicon Hard-Stop Spacers for 3D Integration of Superconducting Qubits},
author = {Bethany M. Niedzielski and David K. Kim and Mollie E. Schwartz and Danna Rosenberg and Greg Calusine and Rabi Das and Alexander J. Melville and Jason Plant and Livia Racz and Jonilyn L. Yoder and Donna Ruth-Yost and William D. Oliver},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.12882},
year = {2019}
}