VSe2中近藤效应的特征
材料科学
2017-09-12 v1 强关联电子
摘要
VSe2是一种过渡金属二硫属化物，其电荷密度波转变已被充分研究。我们报道了VSe2单晶中电阻率在低温下的上升，以及在低于该电阻极小值的温度下，一种不寻常的磁电阻：在低场为负、在高场为正。负磁电阻对磁场呈抛物线依赖，且几乎无角度依赖。在高于电阻极小值的温度下，磁电阻始终为正。我们将这些结果解释为VSe2中近藤效应的特征。磁化率的上升表明层间V离子的存在，它们可提供近藤效应中散射传导电子所需的局域磁矩。热容的低温行为（包括较大的gamma值），以及低温磁化率中观测到的对居里-外斯定律的偏离，与顺磁层间V离子之间的磁相互作用以及这些V矩的近藤屏蔽相一致。
引用
@article{arxiv.1709.00594,
title = {Signatures of the Kondo effect in VSe2},
author = {Sourabh Barua and M. Ciomaga Hatnean and M. R. Lees and G. Balakrishnan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.00594},
year = {2017}
}
备注
Accepted for publication in Scientific Reports. 13 pages, 7 figures, 2 tables