二硫属化钒VX₂（X=Se, Te）中近藤效应的比较研究
材料科学
2023-12-18 v1 强关联电子
摘要
我们报告了过渡金属二硫属化物VSe₂和VTe₂的电输运、磁输运和磁性质研究，并对它们进行了全面比较。我们观察到两种体系中由局域磁矩与传导电子在低温下的交换相互作用引起的近藤效应，导致VSe₂在6 K和VTe₂在17 K出现电阻回升。从场依赖电阻测量中，我们发现VSe₂的数据最佳拟合为经量子布里渊函数修正的Hamann方程，而VTe₂的数据最佳拟合为经经典朗之万函数修正的Hamann方程。有趣的是，我们观察到这些体系在近藤温度附近具有对比鲜明的磁电阻性质。也就是说，在近藤态中两种体系均发现负磁电阻。在正常态中，VSe₂的磁电阻为正，而VTe₂的磁电阻可忽略。此外，两种体系由于插层V原子在低温下均表现出弱铁磁性。
引用
@article{arxiv.2312.09258,
title = {Comparative study of Kondo effect in Vanadium dichalcogenides VX$_2$ (X=Se & Te)},
author = {Indrani Kar and Susanta Ghosh and Shuvankar Gupta and Sudip Chakraborty and S. Thirupathaiah},
journal= {arXiv preprint arXiv:2312.09258},
year = {2023}
}