整数量子霍尔效应与分数量子霍尔效应区域高不平衡下的独立接触边缘态
介观与纳米尺度物理
2008-03-19 v1
摘要
本综述介绍了量子霍尔效应中边缘态间输运的实验结果，主要是在高不平衡区域获得的。应用一种特殊的几何结构，使得在整数量子霍尔效应和分数量子霍尔效应区域均能对单个边缘通道进行 I-V 谱学测量。这使得能够详细研究多种物理效应，例如整数量子霍尔效应中拓扑缺陷的产生以及分数量子区域中中性集体模式的激发。虽然许多实验发现可以在既定的量子霍尔效应理论框架内得到很好的解释，但一些观测结果为样品边缘的局部结构提供了新的见解，可作为进一步理论研究的起点。
引用
@article{arxiv.0803.2612,
title = {Separately contacted edge states at high imbalance in the integer and fractional quantum Hall effect regime},
author = {E. V. Deviatov and A. Lorke},
journal= {arXiv preprint arXiv:0803.2612},
year = {2008}
}
备注
13 pages, 13 figures