半导体 Bloch 形式体系：推导及其在 Dirac 费米子高次谐波产生中的应用
介观与纳米尺度物理
2021-03-22 v3 光学
摘要
我们重新推导了半导体 Bloch 方程，强调了其与 Berry 联络的密切联系。我们严格的推导揭示了除了常被考虑的内带项和与极化相关的带间项之外，电流还存在另外两个贡献项。在强退相位情况下或当偶极矩阵元强烈依赖于波数时，这些额外贡献变得可观。我们将该形式体系应用于 Dirac 金属的高次谐波产生。这些额外项在某些频率处显著增加了频率依赖的发射强度（高次谐波谱），使总信号的变化最高达 10 倍。
引用
@article{arxiv.2008.03177,
title = {Semiconductor-Bloch Formalism: Derivation and Application to High-Harmonic Generation from Dirac Fermions},
author = {Jan Wilhelm and Patrick Grössing and Adrian Seith and Jack Crewse and Maximilian Nitsch and Leonard Weigl and Christoph Schmid and Ferdinand Evers},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.03177},
year = {2021}
}