石墨烯中半无质量费米子穿过栅栏势垒的隧穿
介观与纳米尺度物理
2010-09-28 v1 材料科学
摘要
在强形变石墨烯的情况下，无带隙石墨烯可能在临界形变处转变为有带隙石墨烯。我们发现，在临界点处，形变石墨烯中的电子类似于半无质量费米子，在一个方向上模仿无质量费米子的色散关系，在另一个方向上模仿有质量费米子的色散关系。我们预测的色散公式是先前预测公式的推广。粒子型半无质量费米子穿过栅栏势垒的隧穿行为，与原始石墨烯中(纯)无质量费米子穿过栅栏势垒的隧穿行为形成对比。这是由于在临界形变处无质量与有质量粒子色散关系相结合的效果。
引用
@article{arxiv.1009.5060,
title = {Semi-massless fermions tunneling through a gate barrier in graphene},
author = {Bumned Soodchomshom},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.5060},
year = {2010}
}
备注
13 pages,3 figures