具有巨 Rashba 型能带分裂的自组装纳米线
介观与纳米尺度物理
2015-06-12 v1
摘要
我们利用扫描隧道显微镜 (STM) 和角分辨光电子能谱 (ARP) 研究了 Si(110) 表面上 Pt 诱导的纳米线。高分辨率 STM 图像显示了宽度为 1.6 nm、间距为 2.7 nm 的有序纳米线阵列。ARP 揭示了完全占据的一维 (1D) 能带，具有 Rashba 型分裂色散。局部 dI/dV 谱进一步表明纳米线上存在良好受限的一维电子通道，其态密度特征与 Rashba 型能带分裂一致。观测到的能带能量和动量分裂是 Rashba 系统中报道的最大值之一，表明 Pt-Si 纳米线是一种独特的一维巨 Rashba 系统。这种自组装纳米线可用于基于硅的自旋电子器件以及马约拉纳费米子的探索。
引用
@article{arxiv.1301.2376,
title = {Self-Assembled Nanowires with Giant Rashba-Type Band Splitting},
author = {Jewook Park and Sung Won Jung and Min-Cherl Jung and Hiroyuki Yamane and Nobuhiro Kosugi and Han Woong Yeom},
journal= {arXiv preprint arXiv:1301.2376},
year = {2015}
}
备注
to be published in Phys. Rev. Lett