全息术中的库仑相互作用屏蔽

我们通过在边界理论中进行（电流-电流）双迹形变，在强相互作用系统的全息描述中引入库仑相互作用。在对应于 Reissner-Nordström 背景的对偶理论中，这种形变导致密度-密度响应中出现带隙的等离激元模式，正如传统 RPA 计算所预期的那样。我们进一步表明，通过在 $d$ 时空维的边界理论中引入 $(d + 1)$ 维库仑相互作用，我们恢复了色散正比于 $\sqrt{|\mathbf{k}|}$ 的等离激元模式，例如在石墨烯层中观察到的那样。此外，受层状铜基高温超导体近期实验结果的启发，我们提出了一个由无限堆叠的（空间上）二维层组成的层状系统的玩具模型，这些层仅通过长程库仑相互作用耦合。这导致了低能“声学等离激元”。最后，我们计算了 $d = 3 + 1$ 中形变理论的光学电导率，其中存在对数修正，并展示了这如何与在狄拉克和 Weyl 半金属中测量的电导率相关联。